SAMSUNG’DAN BELLEKTE DEV SIÇRAMA: zHBM İLE 8 KAT PERFORMANS HEDEFİ

Şirket, HBM5 ile mevcut nesle kıyasla performansı iki katına çıkarmayı hedeflerken, yeni zHBM mimarisinde 8 kata varan ham performans artışı planlıyor. NAND tarafında ise zNAND-O teknolojisi üzerinde çalışmalar sürüyor.

HBM5 İLE PERFORMANS İKİ KATINA ÇIKACAK

Samsung’un paylaştığı yol haritasına göre HBM5, HBM4E’ye kıyasla iki kat ham performans sunacak. Watt başına performansın yüzde 20 artırılması, termal direncin ise yüzde 20 azaltılması hedefleniyor. HBM4 ve HBM4E’de kullanılan 4 nm taban yongasının yerini Samsung’un 2 nm üretim teknolojisi alacak. Belleklerin 12, 16 ve 20 katmanlı seçeneklerle sunulması planlanırken HBM5’in seri üretiminin 2028 civarında başlaması öngörülüyor.

zHBM İLE 8 KAT PERFORMANS ARTIŞI

Samsung’un uzun vadeli planlarının en dikkat çekici teknolojisi zHBM oldu. Geleneksel HBM sistemlerinde hızlandırıcının yanında bulunan bellek, zHBM mimarisinde doğrudan işlemcinin üzerine yerleştirilecek. Veri yolunun önemli ölçüde kısalmasını sağlayacak bu tasarımla HBM4E’ye kıyasla 8 kat ham performans ve watt başına performansta 3 kat iyileşme hedefleniyor. Samsung ayrıca termal direnci yüzde 75 ila 90 oranında azaltmayı amaçlıyor. zHBM teknolojisinin 2029 sonrasında piyasaya çıkması planlanıyor.

NAND TARAFINDA YENİ TEKNOLOJİ: zNAND-O

Samsung, depolama tarafında ise zNAND-O teknolojisini geliştiriyor. İlk örneklerin 2028 yılında hazırlanması planlanan yeni teknolojide DRAM’in 10 katı bit yoğunluğu hedefleniyor. Okuma bant genişliğinin geleneksel NAND çözümlerine göre 7 kata kadar artırılması planlanırken güç verimliliğinin mevcut NAND seviyesinde korunması amaçlanıyor.